歌谷電氣（北京）有限公司
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技術優(yōu)勢傳感芯片采用高精度硅技術
技術優(yōu)勢
傳感芯片采用高精度硅技術，精度 ±0.05%
雙抗過載保護膜片設計
*的微量程壓力變送器抗過載性能
穩(wěn)定可靠，溫度影響小，溫度性能控制在±0.04%/10K
量程比100:1
EMC符合GB/T 18268.1-2008
技術參數
測量范圍（未遷移）200 Pa40000 kPa
量程比 100:1
環(huán)境溫度-40 ℃ +85 ℃
介質溫度-40 ℃ +125℃
溫度影響量 可達±0.04%/10K （TD=1時）
準確度等級±0.05% / ±0.1%
長期漂移±0.1%×Span/5年
總線標準4～20mA HART
·過載壓力
滿量程6kPa40kPa250kPa3MPa10MPa21MPa40MPa60MPa
過載壓力0.3MPa/7MPa1MPa/7MPa4MPa15MPa20MPa60MPa60MPa70MPa
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