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太陽能電池載流子特性分析系統(tǒng)

太陽能電池載流子特性分析系統(tǒng)

? 主要應(yīng)用：
    * 無機半導(dǎo)體光電器件，有機半導(dǎo)體光電器件；
    * 有機太陽能電池OPV；
    * 鈣鈦礦太陽能電池Perovskite Solar Cell，鈣鈦礦LED；
    * 無機太陽能電池（例如：單晶硅、多晶硅、非晶硅等硅基太陽能電池）；
    * 染料敏化太陽能電池DSSC；

? 主要測量功能：
    * 功率點MPP、FF、Voc、Isc、VS 光強，遷移率（I-V測試 & I-V-L測試，空間電荷限制電流SCLC法）
    * 載流子密度，載流子動力學(xué)過程（瞬態(tài)光電流法 TPC）
    * 載流子壽命，載流子符合動力學(xué)過程（瞬態(tài)光電壓/瞬態(tài)開路電壓法 TPV）
    * 載流子遷移率（暗注入瞬態(tài)法 DIT，單載流子器件&OLED）
    * 串聯(lián)電阻，幾何電容，RC時間（電壓脈沖法 Pulse Voltage）
    * 參雜密度，電容率，串聯(lián)電阻，載流子遷移率（暗態(tài)線性增加載流子瞬態(tài)法 Dark-CELIV）
    * 載流子遷移率，載流子密度（光照線性增加載流子瞬態(tài)法 Photo-CELIV）
    * 載流子復(fù)合過程，朗之萬函數(shù)復(fù)合前因子（時間延遲線性增加載流子瞬態(tài)法 Delaytime-CELIV）
    * 不同工作點的載流子強度，載流子遷移率（注入線性增加載流子瞬態(tài)法 Injection-CELIV）
    * 幾何電容，電容率（MIS線性增加載流子瞬態(tài)法 MIS-CELIV）
    * 陷阱強弱度，等效電路（阻抗譜測試 IS）
    * 遷移率，陷阱強弱度，電容，串聯(lián)電阻（電容VS頻率 C-f）
    * 內(nèi)建電壓，參雜濃度，注入勢壘，幾何電容（電容VS電壓 C-V）
    * 點亮電壓（電流電壓照度特性 I-V-L）
    * 發(fā)光壽命，載流子遷移率（瞬態(tài)電致發(fā)光法 TEL）

-整合了DC，AC and Transient mode

用于太陽能電池/OLED器件載流子特性測量與分析，通過對器件的變光強J-V曲線、瞬態(tài)光電流譜TPC，瞬態(tài)光電壓譜TPV、線性增壓載流子抽取Photo-CELIV、強度調(diào)制光電流譜IMPS、強度調(diào)制光電壓譜IMVS、阻抗譜IS、電容電壓譜CV、深能級瞬態(tài)譜DLTS等進(jìn)行測量分析，表征器件的載流子遷移率、載流子壽命和濃度、載流子動力學(xué)過程、摻雜和陷阱分布等性能參數(shù)，從而對太陽能電池/OLED器件和其他有機半導(dǎo)體中的載流子遷移率進(jìn)行有效的分析和測量。

測量參數(shù)

   • Charge carrier mobility載流子遷移率

   • Carrier lifetime載流子壽命

   • Recombination efficiency復(fù)合效率

   • Charge injection barriers電荷注入勢壘

   • Geometric capacitance幾何電容

   • J-V Curve電流-電壓曲線

   • J-V-L 電流-電壓-亮度曲線

   • Pmax、FF、Voc、Isc VS光強曲線

   • Carrier lifetime載流子壽命

   • Trap density陷阱密度

   • Trap depth陷阱深度

   • Doping density摻雜濃度

   • Series resistance串聯(lián)電阻

   • Electrical permittivity介電常數(shù)

   • Built-in voltage內(nèi)建電場

   • Emitter lifetime (OLED)發(fā)射壽命

   • 軟件后處理功能：可獲得更豐富的測試數(shù)據(jù)

測量曲線：

技術(shù)規(guī)格

   • 采樣率：60MS/s

   • 時間分辨率：16ns

   • 頻率范圍：10mHz to 10MHz

   • 電流分辨率：＜100pA

   • LED上升時間：100ns

   • 電流范圍：100mA

   • 電壓范圍：±12V

可選功能

   • Solar Cell Version or/ａnd OLED Version

   • Multi-LED模塊:360nm~1100nm for EQE

   • 變溫測試臺：-120 °C to 150 °C（多種可選）

   • 光譜儀：OLED器件發(fā)光光譜測量

   • SMU 擴展模塊: 電壓±60V，電流分辨1pA